CH5.회로망 개념

CH5 회로망.hwp

---

CH5. 회로망 -이론 별로 없고 문제 중심

회로망	선형 회로망 : R, L, C
	비선형 회로망 : 반도체..

<선형회로망>	<비선형회로망>
↑ 선형회로망에서만 중첩 적용
법칙 : 중첩, 밀만, 노튼, 테브남 : 선형 OR 비선형 회로에서 적용

이상적인 전압원	: 내부저항 : 0
이상적인 전류원	: 내부저항 : ⋈

◼전압원, 전류원 모두 이상적인 것

전압원은 “단락”시키고	전류원은 “개방”시킨다

중첩의 원리
→ 전원(전압원, 전류원)이 2개 이상일 경우 계산하는 방법 전압원이 2개여도, 전류원이 2개여도 상과없다.
⇒ 전압원은 단락, 전류원은 개방 시켜 따로 계산 한 후 더 한다.

 

중첩의 원리 적용

◼밀만의 정리

◼테브남의 정리

→ 복잡한 회로를

    전압원 1개 + 임피던스(Z) 1개로 나타낸다

◼ 노튼의 정리 (시험에는 안나옴)

→복잡한 회로를

  전류원 1개 + 어드미턴스(Y) 1개로 나타낸다

테브남의 정리